2、划重点： 毛利率指引有点弱。虽然 HBM 虽然在出货清淡期，2 月份以来 内存 DDR4、5 的价格都有反弹，市场原本以为，能够对冲一定的毛利率回落。 但公司给出的指引 36.5%，上下幅度一个百分点，指引中值稍低于预期。

三星之前采用的COP架构将外围电路与存储单元集成在同一晶圆上，但随着层数的增加，底层电路承受的机械压力显著增大，这导致了可靠性的降低和散热问题的出现。 随着SK海力士和美光等竞争对手的层数超过400层，三星计划在当年下半年开始大规模生产第十代存储芯片V10 NAND，层数将达到420至430层的新高度。

MLCC行业的周期性波动，本质上是技术进步与市场需求共振的结果。在AI与汽车电子的双重驱动下，曾经的“工业大米”正蜕变为“电子黄金”。对于中国企业而言，能否抓住本轮周期反转的机遇，不仅取决于产能扩张的速度，更取决于能否在陶瓷粉料、高端工艺等“卡脖子”环节实现突破。

现在终于有了确切消息，台积电的2nm试生产良率已达到 60%，到2025 年底将有能力生产 50,000 片 2nm 晶圆，而苹果会是台积电的首家客户，可能会在A19上包揽2nm晶圆。

全志科技的AI ISP技术已经应用于其多款芯片产品中，如高集成视觉SoC、智慧视觉处理器等。这些产品广泛应用于智能电视、智能安防、智能车载等多个领域，为用户提供高质量的图像处理体验。

具体到Blackwell系列工作站和服务器 GPU ，英伟达在去年3月发布了AI芯片与超级计算平台Blackwell架构，并推出了GB200芯片。 此外，英伟达还公布了继Hopper、Blackwell之后的下一代GPU架构Rubin——以在暗物质研究领域取得突破性进展的天文学家Vera Rubin命名，以及Rubin Ultra的计划配置。

美光的9.6Gbps LP5X DRAM和UFS 4.0 NAND被 三星 Galaxy S25高端机型采用，提升了智能手机的AI性能。预计2025年智能手机出货量增长率低于5%，而本财年第三季移动DRAM和NAND比特出货量因客户库存调整按预期增长。

深圳市江波龙电子股份有限公司，这家全球第二大独立存储器厂商，正携着2024年营收174.64亿元、净利润暴涨160%的战绩，叩响港交所大门，试图用“A+H”双资本引擎，为下一场存储革命蓄力。

而为了3nm芯片的量产，三星投入了500多亿美元，按照三星公布的数据，最近三年以来，三星在晶圆厂这一块的投入高达800多亿美元了，也就是5000多亿元人民币。 之前三星计划在2025年投产2nm，2027年投产1.4nm，如今将2027年的计划取消，但2nm还是会投产，毕竟2nm芯片已经准备的差不多了。

瑞芯微在A股智能物联网SoC芯片市场实力领先，晶晨股份于音视频编解码SoC芯片市场优势突出，全志科技在音视频SoC主控芯片领域占据主导，乐鑫科技则在A股WiFiSoC芯片市场拔得头筹。

日本Rapidus公司宣布在北海道工厂计划部署10台EUV设备，并联合美国博通公司推进2nm芯片的量产，这一举措旨在重振日本本土的半导体制造能力。曾经的日本半导体产业辉煌一时，在全球市场占据重要份额。此次Rapidus的行动，是日本试图在半导体高端制造领域重新夺回话语权的重要尝试。

近日，汉朔科技股份有限公司正式在创业板挂牌上市，其首次公开发行价格定为每股27.5元，上市首日股价大幅上涨187%，市值一度突破300亿元人民币。